STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 12 A 160 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 920-6682
Herst. Teile-Nr.:: STP12NM50
Hersteller:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 12 A 160 W, 3-Pin TO-220

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Herst. Teile-Nr.:: STP12NM50
Hersteller:: STMicroelectronics

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	12 A
Drain-Source-Spannung max.	500 V
Serie	MDmesh
Gehäusegröße	TO-220
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	350 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	160 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	28 nC @ 10 V
Länge	10.4mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	4.6mm
Betriebstemperatur min.	–65 °C
Höhe	9.15mm

STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 12 A 160 W, 3-Pin TO-220

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N-Kanal MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics

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