STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 12 A 160 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 419-2197
Herst. Teile-Nr.:: STP12NM50
Hersteller:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 12 A 160 W, 3-Pin TO-220

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Herst. Teile-Nr.:: STP12NM50
Hersteller:: STMicroelectronics

STP12NM50 - STP12NM50FP, STB12NM50 - STB12NM50-1, N-Channel 550V, 0.30 Ohm, 12A MDmesh Power MOSFET in TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	12 A
Drain-Source-Spannung max.	500 V
Gehäusegröße	TO-220
Serie	MDmesh
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	350 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	160 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Breite	4.6mm
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	28 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	10.4mm
Höhe	9.15mm
Betriebstemperatur min.	-65 °C

STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 12 A 160 W, 3-Pin TO-220

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N-Kanal MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics

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