STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 21 A 150 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 168-7503
Herst. Teile-Nr.:: STP28NM50N
Hersteller:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 21 A 150 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:: 168-7503
Herst. Teile-Nr.:: STP28NM50N
Hersteller:: STMicroelectronics

N-channel 500 V, 0.135 Ohm, 21 A, D2PAK MDmesh(TM) II Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	21 A
Drain-Source-Spannung max.	500 V
Gehäusegröße	TO-220
Serie	MDmesh
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	158 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	150 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	4.6mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	50 nC @ 10 V
Länge	10.4mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	15.75mm

STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 21 A 150 W, 3-Pin TO-220

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N-Kanal MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics

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