Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 9,7 A 48 W, 3-Pin TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 919-4876
Herst. Teile-Nr.:: IRF520NPBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 9,7 A 48 W, 3-Pin TO-220AB

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N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon

Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 9,7A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 48W maximale Verlustleistung - IRF520NPBF

Dieser MOSFET nutzt die fortschrittliche HEXFET-Technologie, um eine hohe Leistung für verschiedene Anwendungen zu bieten. Mit einem kontinuierlichen Drain-Strom von 9,7A und einer maximalen Drain-Source-Spannung von 100V ist es ein geeignetes Bauteil für elektronische Schaltungen. Das Enhancement-Mode-Design sorgt für einen effizienten Betrieb in verschiedenen Umgebungen und macht ihn zu einer praktischen Wahl für Fachleute in den Bereichen Automatisierung und Elektronik.

Eigenschaften und Vorteile

• Hohe Stromkapazität von 9,7A erhöht die Leistung
• Robuste Konstruktion gewährleistet Funktionalität unter extremen Bedingungen
• Niedriger Einschaltwiderstand von 200 mΩ minimiert den Leistungsverlust
• Schnelle Schaltfunktionen verbessern die Effizienz
• Kompatibel mit TO-220AB-Gehäuse für einfache Installation

Anwendungsbereich

• Energiemanagement in Automatisierungssystemen
• Wechselnd in elektrischen Schaltungen
• Motorantriebsschaltungen für mehr Effizienz
• Hochfrequenz in der Elektronik

Wie wirkt sich der geringe On-Widerstand auf die Leistung aus?

Der niedrige Durchlasswiderstand reduziert die Wärmeentwicklung und erhöht den Wirkungsgrad, was zu einer verbesserten Gesamtleistung bei Leistungsanwendungen führt, da die Energieverluste minimiert werden.

Welche Bedeutung hat der Temperaturbereich?

Der weite Betriebstemperaturbereich gewährleistet eine gleichbleibende Leistung in verschiedenen Umgebungen und eignet sich sowohl für Anwendungen bei hohen als auch bei niedrigen Temperaturen.

Kann dieses Bauteil kurze Impulse mit höherem Strom verarbeiten?

Ja, er kann gepulste Ableitströme von bis zu 38 A bewältigen und ist damit für transiente Bedingungen in elektronischen Schaltungen geeignet.

Welche Überlegungen sollte ich bei der Installation anstellen?

Sorgen Sie für eine angemessene Kühlung gemäß den Angaben im Datenblatt, um die Wärmeabgabe während des Betriebs, insbesondere unter hoher Last, effektiv zu steuern.

Wie verhält sich das Gerät bei schnellen Schaltvorgängen?

Seine hohe Schaltgeschwindigkeit unterstützt den effizienten Betrieb in Anwendungen, die schnelle Reaktionszeiten erfordern, und macht ihn zu einer vielseitigen Wahl für moderne elektronische Designs.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	9,7 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	TO-220AB
Serie	HEXFET
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	200 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	48 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	25 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Breite	4.69mm
Länge	10.54mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	8.77mm