Infineon HEXFET IRFU120NPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 9,4 A 48 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

Der Infineon IRFU120N ist der 100-V-Einkanal-Leistungs-MOSFET in einem I-Pak-Gehäuse. Die IR MOSFET-Familie von Leistungs-MOSFETs nutzt bewährte Siliziumprozesse und bietet ein breites Portfolio an Geräten zur Unterstützung verschiedener Anwendungen wie Gleichstrommotoren, Wechselrichter, SMPS, Beleuchtung, Lastschalter sowie Batterie-betriebene Anwendungen.

Oberflächenmontage
Gerades Kabel
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Ohne Leitung

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.