Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 32 A 130 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
915-5014
Herst. Teile-Nr.:
IRFR3411TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

32A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

44mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

130W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

48nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

7.49 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.39mm

Länge

6.73mm

Automobilstandard

Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 32A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 130W maximale Verlustleistung - IRFR3411TRPBF


Dieser MOSFET ist für elektronische Hochleistungsanwendungen von entscheidender Bedeutung, da er eine robuste Leistung mit niedrigem On-Widerstand und einem breiten Betriebstemperaturbereich bietet. Durch den Einsatz der HEXFET-Technologie wird ein effizienter Betrieb gewährleistet, so dass er sich für verschiedene Industrie- und Automatisierungsaufgaben eignet. Sein oberflächenmontiertes DPAK-Gehäuse (TO-252) erleichtert die Integration in elektronische Schaltungen, während das Enhancement-Mode-Design die Schalteffizienz optimiert.

Eigenschaften und Vorteile


• Kontinuierliche Drainstromfähigkeit von 32A für vielseitige Anwendungen

• Maximale Nennspannung von 100 V für flexiblen Einsatz

• Niedriger RDS(on) von 44mΩ reduziert Leistungsverlust und Wärmeentwicklung

• Maximale Verlustleistung von 130 W für verbesserte Haltbarkeit

• Unterstützt Hochgeschwindigkeitsschaltungen für verbesserte Schaltkreisleistung

• Oberflächenmontage vereinfacht die PCB-Integration

Anwendungsbereich


• Einsatz in DC-DC-Wandlern in industriellen Stromversorgungssystemen

• Effektiv für Motorsteuerungsschaltungen in der Robotik und Automation

• Geeignet für das Energiemanagement in Telekommunikationsgeräten

• Einsatz in elektronischen Beleuchtungssystemen zur Steigerung der Energieeffizienz

Welche Arten der Leiterplattenmontage sind mit diesem Gerät kompatibel?


Es ist für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken ausgelegt, was die Vielseitigkeit der Montagemethoden gewährleistet.

Kann dieses Gerät gepulste Ableitströme verarbeiten?


Ja, er ist für gepulste Ableitströme von bis zu 110 A ausgelegt, was Flexibilität bei transienten Lastzuständen ohne Schäden ermöglicht.

Wie hoch ist der Wärmewiderstand dieses Bauteils?


Der Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse beträgt 1,2°C/W, was ein effektives Wärmemanagement während des Betriebs ermöglicht.

In welchem Temperaturbereich kann es betrieben werden?


Dieser MOSFET arbeitet effektiv zwischen -55°C und +175°C und ist für extreme Umgebungsbedingungen geeignet.

Wie wirkt sich die Gate-Ladung auf die Leistung aus?


Mit einer typischen Gate-Ladung von 48nC bei 10 V sorgt er für schnellere Schaltzeiten, wodurch Verluste reduziert und die Effizienz von Schaltungen verbessert werden.

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