Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 33 A 130 W, 3-Pin TO-262

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RS Best.-Nr.:
907-5028
Herst. Teile-Nr.:
IRF540NLPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

33A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-262

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

44mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

130W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

71nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

9.65mm

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.83 mm

Automobilstandard

Nein

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