Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 24 V / 382 A 300 W, 3-Pin TO-262

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RS Best.-Nr.:
260-5055
Herst. Teile-Nr.:
AUIRF1324WL
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

382A

Drain-Source-Spannung Vds max.

24V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-262

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.3mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

84nC

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

10.67 mm

Länge

9.65mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

4.83mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon Widelead HEXFET-Leistungs-MOSFET wurde speziell für Kfz-Anwendungen entwickelt. Er verfügt über eine Betriebstemperatur von 175 °C, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte wiederholte Lawinenbelastbarkeit.

Erweiterte Prozesstechnologie

Extrem niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand

Schnelles Schalten

Wiederholte Lawinen bis zu Tjmax zulässig

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