Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 45 A 83 W, 3-Pin TO-220

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
892-2276
Herst. Teile-Nr.:
IPP060N06NAKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

45 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

OptiMOS™ 5

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

9 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.3V

Gate-Schwellenspannung min.

2.1V

Verlustleistung max.

83 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

10.36mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

27 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

4.57mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Höhe

15.95mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5



MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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