Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 80 A 125 W, 3-Pin TO-262

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 9,90

(ohne MwSt.)

€ 11,90

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 1 185 Einheit(en) mit Versand ab 26. Jänner 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 +€ 1,98€ 9,90

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
892-2166
Herst. Teile-Nr.:
IPI086N10N3GXKSA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

OptiMOS 3

Gehäusegröße

TO-262

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

42nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.57 mm

Länge

10.36mm

Höhe

11.177mm

Automobilstandard

Nein

Infineon OptiMOS™ MOSFET der Serie 3, 80 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 125 W maximale Verlustleistung - IPI086N10N3GXKSA1


Dieser MOSFET wurde für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen entwickelt und eignet sich für verschiedene Bereiche, einschließlich Automatisierung und Elektronik. Mit einem kontinuierlichen Drain-Strom von 80 A und einer maximalen Drain-Source-Spannung von 100 V bietet er eine zuverlässige und effiziente Lösung für elektronische Systeme.

Eigenschaften und Vorteile


• N-Kanal-Design optimiert die elektrische Leistung

• Niedriger RDS(on) reduziert Leistungsverluste

• Hohe Verlustleistungsfähigkeit für intensive Anwendungen

• Verbesserte Gate-Schwelle verbessert die Schalteffizienz

• Durchgangslochmontage ermöglicht einfache Integration in Schaltkreise

Anwendungsbereich


• Verwendung für Hochfrequenzschaltungen in Stromversorgungen

• Erleichtert die synchrone Gleichrichtung in Umrichterschaltungen

• Geeignet für industrielle Automatisierungssysteme, die eine effiziente Leistungssteuerung erfordern

• Anwendung in verschiedenen elektronischen Geräten zur Verbesserung der Energieeffizienz

• Geeignet für die Automobilindustrie die eine gleichbleibende Leistung erfordern

Welche Bedeutung hat der niedrige RDS(on) bei diesem Gerät?


Der niedrige RDS(on)-Wert minimiert die Energieverluste beim Schalten und erhöht die Gesamtleistung des Systems.

Wie verhält sich der MOSFET bei hohen Temperaturen?


Er ist für Temperaturen von bis zu 175 °C ausgelegt und gewährleistet eine gleichbleibende Leistung auch unter schwierigen Umgebungsbedingungen.

Welche Befestigungsart ist für dieses Bauteil erforderlich?


Er zeichnet sich durch eine Durchgangslochmontage aus, die eine unkomplizierte Integration in bestehende PCB-Layouts ermöglicht.

Ist es für den Einsatz in der Synchrongleichrichtung geeignet?


Ja, er wurde speziell für die effiziente Synchrongleichrichtung in der Leistungselektronik entwickelt, was insgesamt zu Energieeinsparungen führt.

Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Verwandte Links