Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 100 V / 80 A, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*

€ 1.578,00

(ohne MwSt.)

€ 1.894,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 08. Februar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
1000 +€ 1,578€ 1.578,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
220-7381
Herst. Teile-Nr.:
IPB065N10N3GATMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET & Diode

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

OptiMOS 3

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon 100-V-OptiMOS-Leistungs-MOSFETs bieten überlegene Lösungen für hocheffiziente SMPS mit hoher Leistungsdichte. Im Vergleich zur nächstbesten Technologie erreicht diese Familie eine Reduzierung von 30 % sowohl bei R DS(on) als auch bei der Leistungszahl.

Ausgezeichnetes Schaltvermögen

Weltweit niedrigster R DS(on)

Sehr niedrige Q g und Q gd

Ausgezeichnete Gatterladung x R DS(ON) Produkt (BFM)

Umweltfreundlich

Erhöhte Effizienz

Höchste Leistungsdichte

Weniger Parallelschaltung erforderlich

Geringster Platinenplatzbedarf

Einfaches Design von Produkten

Verwandte Links