Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 100 V / 80 A, 3-Pin TO-263

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
220-7383
Herst. Teile-Nr.:
IPB065N10N3GATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET & Diode

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

OptiMOS 3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon 100-V-OptiMOS-Leistungs-MOSFETs bieten überlegene Lösungen für hocheffiziente SMPS mit hoher Leistungsdichte. Im Vergleich zur nächstbesten Technologie erreicht diese Familie eine Reduzierung von 30 % sowohl bei R DS(on) als auch bei der Leistungszahl.

Ausgezeichnetes Schaltvermögen

Weltweit niedrigster R DS(on)

Sehr niedrige Q g und Q gd

Ausgezeichnete Gatterladung x R DS(ON) Produkt (BFM)

Umweltfreundlich

Erhöhte Effizienz

Höchste Leistungsdichte

Weniger Parallelschaltung erforderlich

Geringster Platinenplatzbedarf

Einfaches Design von Produkten

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