Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 80 A 150 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
826-9178
Herst. Teile-Nr.:
IPB054N08N3GATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

OptiMOS 3

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

52nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

9.45 mm

Höhe

4.57mm

Länge

10.31mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Nicht zutreffend

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, 60 bis 80 V


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