Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 45 A 37.5 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
145-8705
Herst. Teile-Nr.:
IPA086N10N3GXKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

45A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

OptiMOS 3

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

37.5W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

42nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

16.15mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.85 mm

Länge

10.65mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Infineon OptiMOS™ MOSFET der Serie 3, 45A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 37,5W maximale Verlustleistung - IPA086N10N3GXKSA1


Dieser MOSFET wurde für Hochleistungsanwendungen in der Automatisierung, Elektronik und Elektrotechnik entwickelt. Als Leistungstransistor verbessert er das Energiemanagement, indem er eine hervorragende Effizienz und Zuverlässigkeit bietet. Sein robustes Design unterstützt Hochfrequenzschaltungen und eignet sich daher für Umgebungen, in denen eine hohe Leistung erforderlich ist.

Eigenschaften und Vorteile


• N-Kanal-Konfiguration optimiert das Strommanagement

• Niedriger Einschaltwiderstand verbessert die Effizienz des Gesamtsystems

• Arbeitet bei Temperaturen bis zu +175°C für anpassungsfähige Anwendungen

• Vollständig isoliertes Gehäuse verbessert die Sicherheit während des Betriebs

• Entspricht den RoHS- und halogenfreien Standards für eine umweltfreundliche Nutzung

Anwendungsbereich


• Ideal für Hochfrequenzschaltungen in elektronischen Geräten

• Einsatz in der Synchrongleichrichtung zur Maximierung des Wirkungsgrads

• Geeignet für die eine hohe Strombelastbarkeit erfordern

• Effektiv in temperaturempfindlichen Umgebungen dank robuster thermischer Leistung

Welche Bedeutung hat der niedrige Einschaltwiderstand in diesem Gerät?


Der niedrige Einschaltwiderstand reduziert die Leistungsverluste während des Betriebs, was zu einer verbesserten Effizienz in Power-Management-Schaltungen führt. Dies führt zu einer geringeren Wärmeentwicklung und einer verbesserten Gesamtleistung.

Kann dieser MOSFET in Automobilanwendungen eingesetzt werden?


Ja, es eignet sich für Anwendungen in der Automobilindustrie, da es die Anforderungen an die Hochtemperaturleistung erfüllt und einen zuverlässigen Betrieb unter wechselnden Lastbedingungen bietet.

Wie beeinflusst die Gate-Schwellenspannung die Funktion der Schaltung?


Die Gate-Schwellenspannung bestimmt, wann der MOSFET zu leiten beginnt. In diesem Fall reicht er von 2V bis 3,5V, wodurch sichergestellt wird, dass die Aktivierung nur bei geeigneten Spannungspegeln erfolgt, wodurch andere Komponenten geschützt werden.

Welche Arten von Schaltungen sind am besten mit diesem Leistungstransistor kompatibel?


Dieser Leistungstransistor ist mit Hochfrequenz-Schaltkreisen und Anwendungen mit synchroner Gleichrichtung kompatibel und bietet vielseitige Einsatzmöglichkeiten für verschiedene elektronische Designs.

Wie sollte der MOSFET für eine optimale Leistung montiert werden?


Der MOSFET sollte mit der Durchsteckmethode montiert werden, um sichere Verbindungen und eine effektive Wärmeableitung auf der Grundlage seiner Wärmewiderstandsspezifikationen zu gewährleisten.

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