Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 42 A 110 W, 3-Pin TO-252

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Distrelec-Artikelnummer:
304-44-477
Herst. Teile-Nr.:
IRLR2905TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

42A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

40mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

48nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.73mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.39mm

Breite

6.22 mm

Automobilstandard

Nein

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