Microchip DN2540 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Entleerung 400 V / 120 mA 1 W, 3-Pin TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 829-3235
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-36-436
- Herst. Teile-Nr.:
- DN2540N3-G
- Hersteller:
- Microchip
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 400V | |
| Serie | DN2540 | |
| Gehäusegröße | TO-92 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 25Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 5.33mm | |
| Länge | 5.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 400V | ||
Serie DN2540 | ||
Gehäusegröße TO-92 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 25Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 5.33mm | ||
Länge 5.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus
Die Supertex-Serie von N-Kanal Verarmungs-DMOS-FET-Transistoren von Microchip sind für Anwendungen geeignet, bei denen hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind.
Merkmale
Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom
Typische Anwendungen:
Schließerschalter
Halbleiterrelais
Wandler
Lineare Verstärker
Konstantstrom-Quellen
Netzteilschaltungen
Telekommunikation
MOSFET-Transistoren, Microchip
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