Microchip DN2540 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Entleerung 400 V / 120 mA 1 W, 3-Pin DN2540N3-G TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 829-3235
- Herst. Teile-Nr.:
- DN2540N3-G
- Hersteller:
- Microchip
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 400V | |
| Serie | DN2540 | |
| Gehäusegröße | TO-92 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 25Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 5.33mm | |
| Länge | 5.2mm | |
| Breite | 4.19 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Distrelec Product Id | 304-36-436 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 400V | ||
Serie DN2540 | ||
Gehäusegröße TO-92 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 25Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 5.33mm | ||
Länge 5.2mm | ||
Breite 4.19 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Distrelec Product Id 304-36-436 | ||
MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus
Die Supertex-Serie von N-Kanal Verarmungs-DMOS-FET-Transistoren von Microchip sind für Anwendungen geeignet, bei denen hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind.
Merkmale
Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom
Typische Anwendungen:
Schließerschalter
Halbleiterrelais
Wandler
Lineare Verstärker
Konstantstrom-Quellen
Netzteilschaltungen
Telekommunikation
MOSFET-Transistoren, Microchip
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