Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 48 W, 8-Pin TSDSON

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RS Best.-Nr.:
827-5246
Herst. Teile-Nr.:
BSZ050N03MSGATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

40 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

TSDSON

Serie

OptiMOS™ 3

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

5,7 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

48 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

3.4mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

34 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

3.4mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

1.1mm

RoHS Status: Nicht zutreffend

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