Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 11,3 A 50 W, 8-Pin TSDSON

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RS Best.-Nr.:
165-6894
Herst. Teile-Nr.:
BSZ12DN20NS3GATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

11,3 A

Drain-Source-Spannung max.

200 V

Gehäusegröße

TSDSON

Serie

OptiMOS™ 3

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

125 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

50 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Länge

3.4mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

3.4mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

6,5 nC bei 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

1.1mm

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:
CN

Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr



MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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