Teile-Nr.

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 11,3 A 50 W, 8-Pin TSDSON

RS Best.-Nr.:: 165-6894
Herst. Teile-Nr.:: BSZ12DN20NS3GATMA1
Hersteller:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 11,3 A 50 W, 8-Pin TSDSON

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RS Best.-Nr.:: 165-6894
Herst. Teile-Nr.:: BSZ12DN20NS3GATMA1
Hersteller:: Infineon

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Channel-Typ	N
	Dauer-Drainstrom max.	11,3 A
	Drain-Source-Spannung max.	200 V
	Serie	OptiMOS™ 3
	Gehäusegröße	TSDSON
	Montage-Typ	SMD
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand max.	125 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	4V
	Gate-Schwellenspannung min.	2V
	Verlustleistung max.	50 W
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
	Länge	3.4mm
	Transistor-Werkstoff	Si
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Betriebstemperatur max.	+150 °C
	Breite	3.4mm
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	6,5 nC bei 10 V
	Betriebstemperatur min.	–55 °C
	Höhe	1.1mm

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Channel-Typ N
	Dauer-Drainstrom max. 11,3 A
	Drain-Source-Spannung max. 200 V
	Serie OptiMOS™ 3
	Gehäusegröße TSDSON
	Montage-Typ SMD
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand max. 125 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 4V
	Gate-Schwellenspannung min. 2V
	Verlustleistung max. 50 W
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
	Länge 3.4mm
	Transistor-Werkstoff Si
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Betriebstemperatur max. +150 °C
	Breite 3.4mm
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 6,5 nC bei 10 V
	Betriebstemperatur min. –55 °C
	Höhe 1.1mm

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:: CN

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 11,3 A 50 W, 8-Pin TSDSON

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