Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 8.2 A 2 W, 6-Pin TSOP

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827-4127
Herst. Teile-Nr.:
IRFTS8342TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

TSOP

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

29mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.8nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.3mm

Breite

1.75 mm

Länge

3mm

Automobilstandard

Nein

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