Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 240 V / 110 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
827-0070
Distrelec-Artikelnummer:
304-44-424
Herst. Teile-Nr.:
BSS131H6327XTSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

110mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

240V

Serie

SIPMOS

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

20Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2.1nC

Durchlassspannung Vf

0.81V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

360mW

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

2.9mm

Automobilstandard

AEC-Q101

N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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