Infineon SIPMOS® N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 230 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 753-2841
Herst. Teile-Nr.:: BSS159NH6327XTSA2
Hersteller:: Infineon

Infineon SIPMOS® N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 230 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23

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Herst. Teile-Nr.:: BSS159NH6327XTSA2
Hersteller:: Infineon

BSS159N, SIPMOS Small-Signal-Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	230 mA
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	SOT-23
Serie	SIPMOS®
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	8 Ω
Channel-Modus	Depletion
Gate-Schwellenspannung max.	2.4V
Gate-Schwellenspannung min.	3.5V
Verlustleistung max.	360 mW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	1,4 nC bei 5 V
Breite	1.3mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	2.9mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Höhe	1mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

Infineon SIPMOS® N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 230 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23

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N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®

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