Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 230 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
826-9954
Distrelec-Artikelnummer:
304-44-425
Herst. Teile-Nr.:
BSS138NH6327XTSA2
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

230mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

SIPMOS

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.83V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1nC

Maximale Verlustleistung Pd

360mW

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1mm

Länge

2.9mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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