Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 80 A 88 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 826-9487
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB80P04P407ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 826-9487
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB80P04P407ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 68nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 88W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 9.25mm | |
| Höhe | 4.4mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie OptiMOS P | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 68nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 88W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 9.25mm | ||
Höhe 4.4mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™P
Die P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™ wurden entwickelt, um erweiterte Funktionen bei hochwertiger Leistung zu bieten. Die Merkmale umfassen ultraniedrige Schaltverluste, Durchlasswiderstand, Stoßentladungsnennwerte sowie eine AEC-Zulassung für Lösungen in der Automobilindustrie. Die Anwendungen umfassen DC/DC, Motorsteuerung, Automobilindustrie und eMobility.
Enhancement-Modus
Für Stoßentladung ausgelegt
Niedrige Schalt- und Leitungsverluste
Pb-frei Kabel Beschichtung; RoHS-konform
Standardgehäuse
P-Kanal-Serie OptiMOS™: Temperaturbereich von –55 °C bis +175 °C
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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