Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 14.9 A 2.5 W, 8-Pin DSO

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RS Best.-Nr.:
165-5906
Herst. Teile-Nr.:
BSO201SPHXUMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

14.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

OptiMOS P

Gehäusegröße

DSO

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

66nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.65mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5mm

Breite

4 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™P


Die P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™ wurden entwickelt, um erweiterte Funktionen bei hochwertiger Leistung zu bieten. Die Merkmale umfassen ultraniedrige Schaltverluste, Durchlasswiderstand, Stoßentladungsnennwerte sowie eine AEC-Zulassung für Lösungen in der Automobilindustrie. Die Anwendungen umfassen DC/DC, Motorsteuerung, Automobilindustrie und eMobility.

Enhancement-Modus

Für Stoßentladung ausgelegt

Niedrige Schalt- und Leitungsverluste

Pb-frei Kabel Beschichtung; RoHS-konform

Standardgehäuse

P-Kanal-Serie OptiMOS™: Temperaturbereich von –55 °C bis +175 °C

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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