Infineon BSO080P03S H OptiMOSTM-P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / -14.9 A 2.5 W, 8-Pin PG-DSO-8

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RS Best.-Nr.:
273-5242
Herst. Teile-Nr.:
BSO080P03SHXUMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-14.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-30V

Gehäusegröße

PG-DSO-8

Serie

BSO080P03S H OptiMOSTM-P

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Durchlassspannung Vf

-0.82V

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

-102nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

40 mm

Normen/Zulassungen

IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS

Höhe

1.5mm

Länge

40mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon MOSFET ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET. Diese Produkte erfüllen konsequent die höchsten Qualitäts- und Leistungsanforderungen in wichtigen Spezifikationen für die Entwicklung von Stromversorgungssystemen, wie z. B. auf Zustandwiderstand und Verdienstmerkmale. Er hat eine Betriebstemperatur von 150 Grad Celsius und ist gemäß JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert.

Logikpegel

Halogenfrei

RoHS-konform

Bleifreie Kabelbeschichtung

Verstärkungsmodus

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