Infineon BSO080P03S H OptiMOSTM-P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / -14.9 A 2.5 W, 8-Pin PG-DSO-8
- RS Best.-Nr.:
- 273-5241
- Herst. Teile-Nr.:
- BSO080P03SHXUMA1
- Hersteller:
- Infineon
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*
€ 1.787,50
(ohne MwSt.)
€ 2.145,00
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 25. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 + | € 0,715 | € 1.787,50 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-5241
- Herst. Teile-Nr.:
- BSO080P03SHXUMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -14.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -30V | |
| Serie | BSO080P03S H OptiMOSTM-P | |
| Gehäusegröße | PG-DSO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | -102nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Durchlassspannung Vf | -0.82V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 40mm | |
| Breite | 40mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -14.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -30V | ||
Serie BSO080P03S H OptiMOSTM-P | ||
Gehäusegröße PG-DSO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs -102nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Durchlassspannung Vf -0.82V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 40mm | ||
Breite 40mm | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | ||
Höhe 1.5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET. Diese Produkte erfüllen konsequent die höchsten Qualitäts- und Leistungsanforderungen in wichtigen Spezifikationen für die Entwicklung von Stromversorgungssystemen, wie z. B. auf Zustandwiderstand und Verdienstmerkmale. Er hat eine Betriebstemperatur von 150 Grad Celsius und ist gemäß JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert.
Logikpegel
Halogenfrei
RoHS-konform
Bleifreie Kabelbeschichtung
Verstärkungsmodus