Infineon BSO080P03S H OptiMOSTM-P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / -14.9 A 2.5 W, 8-Pin PG-DSO-8

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RS Best.-Nr.:
273-5241
Herst. Teile-Nr.:
BSO080P03SHXUMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-14.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-30V

Serie

BSO080P03S H OptiMOSTM-P

Gehäusegröße

PG-DSO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Durchlassspannung Vf

-0.82V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

-102nC

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

40mm

Breite

40 mm

Höhe

1.5mm

Normen/Zulassungen

IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Infineon MOSFET ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET. Diese Produkte erfüllen konsequent die höchsten Qualitäts- und Leistungsanforderungen in wichtigen Spezifikationen für die Entwicklung von Stromversorgungssystemen, wie z. B. auf Zustandwiderstand und Verdienstmerkmale. Er hat eine Betriebstemperatur von 150 Grad Celsius und ist gemäß JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert.

Logikpegel

Halogenfrei

RoHS-konform

Bleifreie Kabelbeschichtung

Verstärkungsmodus

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