Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 280 mA 500 mW, 3-Pin SC-70

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RS Best.-Nr.:
826-9282
Herst. Teile-Nr.:
BSS138WH6433XTMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

280mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

SIPMOS

Gehäusegröße

SC-70

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

500mW

Durchlassspannung Vf

0.85V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

1.25 mm

Höhe

0.8mm

Länge

2mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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