Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 150 mA 300 mW, 3-Pin SC-70

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RS Best.-Nr.:
145-8835
Herst. Teile-Nr.:
BSS84PWH6327XTSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

150mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

SIPMOS

Gehäusegröße

SC-70

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

25Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

-1.12V

Maximale Verlustleistung Pd

300mW

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.8mm

Länge

2mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.25 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

Infineon SIPMOS® P-Kanal-MOSFETs


Die Kleinsignal-P-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS® besitzen verschiedene Merkmale wie den Verbesserungsmodus, einen durchgängigen Drain-Strom bis herunter auf –80 A sowie einen großen Betriebstemperaturbereich. Der SIPMOS-Leistungstransistor kann in einer Vielzahl von Anwendungen wie Telekommunikation, eMobility, Notebooks, DC/DC-Geräten sowie in der Automobilindustrie verwendet werden.

· AEC Q101-qualifiziert (siehe Datenblatt)

· Bleifreie Kabelbeschichtung, RoHS-konform

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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