Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 69 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
825-9152
Herst. Teile-Nr.:
BSC035N04LSGATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TDSON

Serie

OptiMOS 3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

48nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.84V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

69W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5.35mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.1mm

Breite

6.35 mm

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, bis zu 40 V


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