Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 69 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
165-6880
Herst. Teile-Nr.:
BSC035N04LSGATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TDSON

Serie

OptiMOS 3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

48nC

Durchlassspannung Vf

0.84V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

69W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.1mm

Breite

6.35 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5.35mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, bis zu 40 V


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