Vishay N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 50 A 48.1 W, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*

€ 5,06

(ohne MwSt.)

€ 6,08

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 3 280 Einheit(en) mit Versand ab 07. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
20 +€ 0,253€ 5,06

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
818-7470
Herst. Teile-Nr.:
SUD50N04-8M8P-4GE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0088Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.81V

Maximale Verlustleistung Pd

48.1W

Gate-Source-spannung max Vgs

-20V, +20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

37nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

6.22mm

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Länge

6.73mm

Höhe

2.38mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.