Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 50 A 48.1 W, 3-Pin TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
SUD50N04-8M8P-4GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0088Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

48.1W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

37nC

Durchlassspannung Vf

0.81V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Länge

6.73mm

Breite

6.22 mm

Höhe

2.38mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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