Vishay Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Dual-N-Kanal 30 V (D-S) MOSFET 30 V / 100 A 48.1 W, 12-Pin PowerPAIR 3 x 3FS

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RS Best.-Nr.:
252-0294
Herst. Teile-Nr.:
SIZF5302DT-T1-RE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Dual-N-Kanal 30 V (D-S) MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PowerPAIR 3 x 3FS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

12

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0032Ω

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.7nC

Maximale Verlustleistung Pd

48.1W

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Die MOSFET-Produktlinie von Vishay Siliconix umfasst ein breites Spektrum an fortschrittlichen Technologien. MOSFETs sind Transistorbauelemente, die von einem Kondensator gesteuert werden. Der Feldeffekt bedeutet, dass sie durch Spannung gesteuert werden. N-Kanal-MOSFETs enthalten zusätzliche Elektronen, die sich frei bewegen können. Die Produkte sind ein beliebter Kanaltyp. N-Kanal-MOSFETs werden aktiv, wenn eine positive Ladung an den Gate-Anschluss angelegt wird.

TrenchFET Gen V Leistungs-MOSFET

Symmetrischer Dual-N-Kanal

Flip-Chip-Technologie für optimales thermisches Design

High-Side- und Low-Side-MOSFETs bilden optimierte

Kombination für 50 % Einschaltdauer

Optimierte RDS-Qg- und RDS-Qgd-Leistungszahlen (FOM) erhöhen den Wirkungsgrad

Für Hochfrequenz-Switch

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