Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 107 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 188-5048
Herst. Teile-Nr.:: SQD40020E_GE3
Hersteller:: Vishay

Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 107 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Herst. Teile-Nr.:: SQD40020E_GE3
Hersteller:: Vishay

Datasheet SQD40020E_GE3

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	100 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	4,7 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.5V
Gate-Schwellenspannung min.	2.5V
Verlustleistung max.	107 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	84 nC @ 10 V
Breite	9.65mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	10.41mm
Diodendurchschlagsspannung	1.5V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	4.57mm
Automobilstandard	AEC-Q101

Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 107 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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