Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 107 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
188-5081
Herst. Teile-Nr.:
SQD50034E_GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0039Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

90nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

107W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

9.65 mm

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Höhe

4.57mm

Länge

10.41mm

Automobilstandard

AEC-Q101

KFZ-N-Kanal 40 V (D-S) 175 °C MOSFET

TrenchFET® Leistungs-MOSFET

Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand

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