Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 2.3 A 1.4 W, 6-Pin TSOP

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RS Best.-Nr.:
812-3189
Herst. Teile-Nr.:
SI3993CDV-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

TSOP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

188mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5.2nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

150°C

Maximale Verlustleistung Pd

1.4W

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Länge

3.1mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.7 mm

Höhe

1mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Zweifach-P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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