Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 2.3 A 1.4 W, 6-Pin TSOP

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RS Best.-Nr.:
812-3189
Herst. Teile-Nr.:
SI3993CDV-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

TSOP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

188mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

1.4W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5.2nC

Gate-Source-spannung max Vgs

-20V, +20V

Maximale Betriebstemperatur

+150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Höhe

1mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.1mm

Breite

1.7mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Leistungs-MOSFET der Serie TrenchFET von Vishay, 30 V Drain-Source-Spannung, 2,3 A kontinuierlicher Drain-Strom – SI3993CDV-T1-GE3


Dieser Leistungs-MOSFET ist ein oberflächenmontierter P-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Lastmanagementfunktionen in kompakten elektronischen Baugruppen entwickelt wurde. Er bietet eine isolierte Transistorkonfiguration in einem flachen TSOP-Gehäuse und ist für Anwendungen vorgesehen, die eine moderate Strombelastbarkeit und eine kontrollierte Gate-Ansteuerung in einer 30-V-Spannungsumgebung erfordern.

Merkmale und Vorteile:


• P-Kanal-Enhancement-Modus ermöglicht einfache High-Side-Schaltung
• Der kontinuierliche Spitzen-Ablassstrom von 2,3 A unterstützt moderate Lasten
• Niedrige Rds(on) bei 188 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Eine typische Gate-Ladung von 5,2 nC ermöglicht schnelle Gate-Übergänge
• Maximale Verlustleistung von 1,4 W verwaltet die thermische Belastung in kleinen Boards
• Das oberflächenmontierbare 6-polige Gehäuse ermöglicht eine kompakte Platzierung der Leiterplatte

Anwendungen


• Geeignet für batteriebetriebene High-Side-Schaltkreise
• Ideal für die Trennung von Gleichstromlasten und die Blockierung von Rückstrom
• Wird mit Power-Management-Modulen in Verbrauchergeräten verwendet
• Kann für die Pegelverschiebung der Gate-Steuerung in kompakten Baugruppen verwendet werden

Welche Gate-Treiberbeschränkungen sollte ich berücksichtigen?


Das Gerät nimmt bis zu ±20 V zwischen Gate und Quelle auf, sodass Gate-Drive-Schaltkreise Vgs innerhalb dieses Bereichs halten müssen, um Gate-Spannungen zu vermeiden.

Wie tolerant ist es für extreme Temperaturen während des Betriebs?


Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit starken thermischen Schwankungen.

Wie viele Transistorelemente enthält die Matrize und wie hoch ist die Anzahl der Gehäusestifte?


Der Chip integriert zwei Elemente und das Gehäuse verfügt über sechs Pins für Leiterplattenanschlüsse.

Wie hoch ist die maximale Ablass-Quellenspannung und wie wirkt sich dies auf das Schaltungsdesign aus?


Der MOSFET ist für 30 V zwischen Drain und Quelle ausgelegt, daher sollte er verwendet werden, wenn Versorgungsschienen und transiente Bedingungen unter diesem Schwellenwert bleiben.

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