Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 2.3 A 1.4 W, 6-Pin TSOP

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*

€ 9,38

(ohne MwSt.)

€ 11,26

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 1 560 Einheit(en) mit Versand ab 02. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
20 - 180€ 0,469€ 9,38
200 - 480€ 0,346€ 6,92
500 - 980€ 0,291€ 5,82
1000 - 1980€ 0,258€ 5,16
2000 +€ 0,234€ 4,68

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
812-3189
Herst. Teile-Nr.:
SI3993CDV-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

TSOP

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

188mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

150°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.4W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5.2nC

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Breite

1.7 mm

Höhe

1mm

Länge

3.1mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Zweifach-P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links