Vishay Isoliert TrenchFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 6 A 2.78 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
787-9020
Herst. Teile-Nr.:
SI4532CDY-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

140mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

2.78W

Betriebstemperatur min.

150°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6nC

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Höhe

1.5mm

Breite

4 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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