Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 40 V Erweiterung / 6.5 A 3.2 W, 8-Pin SOIC

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
818-1302
Herst. Teile-Nr.:
SI4909DY-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

34mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

150°C

Maximale Verlustleistung Pd

3.2W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

41.5nC

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.55mm

Länge

5mm

Breite

4 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Zweifach-P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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