STMicroelectronics FDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11 A 109 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 791-7801
Herst. Teile-Nr.:: STP13NM60ND
Hersteller:: STMicroelectronics

STMicroelectronics FDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11 A 109 W, 3-Pin TO-220

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Herst. Teile-Nr.:: STP13NM60ND
Hersteller:: STMicroelectronics

N-Channel 600V, 0.32 Ohm typ., 11A, FDmesh II Power MOSFET(with Fast Diode) in DPAK, TO-220FP and TO-220 Packages Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	11 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Gehäusegröße	TO-220
Serie	FDmesh
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	380 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	109 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	4.6mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	24,5 nC @ 10 V
Länge	10.4mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Höhe	15.75mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

STMicroelectronics FDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11 A 109 W, 3-Pin TO-220

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N-Kanal FDmesh™ Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics

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