onsemi SuperFET II N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 208 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 145-4656
- Herst. Teile-Nr.:
- FCP190N60_GF102
- Hersteller:
- onsemi
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
€ 113,80
(ohne MwSt.)
€ 136,55
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt - Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 + | € 2,276 | € 113,80 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 145-4656
- Herst. Teile-Nr.:
- FCP190N60_GF102
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 20 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | SuperFET II | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 199 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.5V | |
| Verlustleistung max. | 208 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Breite | 4.672mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 57 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 10.36mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 15.215mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 20 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 600 V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie SuperFET II | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 199 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2.5V | ||
Verlustleistung max. 208 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Breite 4.672mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 57 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 10.36mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 15.215mm | ||
- Ursprungsland:
- KR
SuperFET® und SuperFET® II N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild hat die Hochspannungsleistungs-MOSFET-Familie SuperFET® II mit der Super Junction-Technologie eingeführt. Sie bietet eine Diode mit robustem Gehäuse und erstklassiger Leistung bei Anwendungen in AC/DC-Schaltnetzteilen (SMPS), z. B. Server, Telekommunikation, Computer, Industrie-Netzteil, UPS/ESS, Solar-Wechselrichter, Beleuchtungsanwendungen, die eine hohe Leistungsdichte, Systemeffizienz und Zuverlässigkeit erfordern.
Mit fortschrittlicher Ladungsbalance-Technologie erreichen Entwickler effizientere, kostengünstigere und leistungsstärkere Lösungen, die weniger Platz auf der Platine einnehmen und die Zuverlässigkeit erhöhen.
Mit fortschrittlicher Ladungsbalance-Technologie erreichen Entwickler effizientere, kostengünstigere und leistungsstärkere Lösungen, die weniger Platz auf der Platine einnehmen und die Zuverlässigkeit erhöhen.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi SuperFET II N-Kanal 3-Pin TO-220
- onsemi SuperFET II N-Kanal4 A 28 W, 3-Pin TO-220F
- onsemi SuperFET II N-Kanal5 W, 3-Pin TO-220F
- onsemi SuperFET II Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- onsemi SuperFET N-Kanal 3-Pin TO-3PN
- onsemi SuperFET II Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- onsemi SuperFET II Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- onsemi SuperFET II Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
