Renesas Electronics N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 350 mA, 6-Pin SOT-363 (SC-88)
- RS Best.-Nr.:
- 772-6633P
- Herst. Teile-Nr.:
- UPA677TB-T1-A
- Hersteller:
- Renesas Electronics
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 350 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | SOT-363 (SC-88) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 20 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.5V | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Länge | 2mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Breite | 1.25mm | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 350 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße SOT-363 (SC-88) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 20 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.5V | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Länge 2mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Breite 1.25mm | ||
Höhe 0.9mm | ||
- Ursprungsland:
- JP
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