Renesas Electronics N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 1,4 A 200 mW, 6-Pin SOT-363 (SC-88)
- RS Best.-Nr.:
- 772-6642P
- Herst. Teile-Nr.:
- UPA679TB-T1-A
- Hersteller:
- Renesas Electronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme 400 Stück (geliefert auf Rolle)*
€ 42,00
(ohne MwSt.)
€ 50,40
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt - Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 400 - 760 | € 0,105 |
| 800 + | € 0,091 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 772-6642P
- Herst. Teile-Nr.:
- UPA679TB-T1-A
- Hersteller:
- Renesas Electronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Channel-Typ | N, P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 1,4 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | SOT-363 (SC-88) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 880 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.5V | |
| Verlustleistung max. | 200 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Gate-Source Spannung max. | -12 V, +12 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 1.25mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 2mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Channel-Typ N, P | ||
Dauer-Drainstrom max. 1,4 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße SOT-363 (SC-88) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 880 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.5V | ||
Verlustleistung max. 200 mW | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Gate-Source Spannung max. -12 V, +12 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 1.25mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 2mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Höhe 0.9mm | ||
- Ursprungsland:
- JP
Zweifacher N/P-Kanal-MOSFET, Renesas Electronics
MOSFET-Transistoren, Renesas Electronics (NEC)
Verwandte Links
- Nexperia N/P-Kanal Dual 350 mA 990 mW, 6-Pin SOT-363 (SC-88)
- onsemi PowerTrench N/P-Kanal Dual 700 mA 300 mW, 6-Pin SOT-363 (SC-70)
- DiodesZetex N-Kanal Dual 6-Pin SOT-363 (SC-88)
- DiodesZetex N-Kanal Dual 6-Pin SOT-363 (SC-88)
- onsemi PowerTrench P-Kanal Dual 6-Pin SOT-363 (SC-70)
- onsemi N/P-Kanal-Kanal Dual 700 mA 300 mW, 6-Pin SOT-363
- onsemi PowerTrench N-Kanal Dual2 A 300 mW 6-Pin SOT-363
- Infineon N-Kanal 6-Pin SOT-363 (SC-88)