Vishay SI1912EDH-T1-E3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor 20 V / 1.13 A, 6-Pin SOT-363

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RS Best.-Nr.:
710-3235P
Herst. Teile-Nr.:
SI1912EDH-T1-E3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

1.13 A

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Gehäusegröße

SOT-363

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand max.

280 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

0.45V

Gate-Source Spannung max.

-12 V, +12 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Breite

1.25mm

Länge

2.05mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

0.9mm

Ursprungsland:
CN

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