DiodesZetex Vollbrücke Typ P, Typ N-Kanal 4, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 850 mA 1.36 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 751-5332
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMHC10A07N8TC
- Hersteller:
- DiodesZetex
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 850mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.45mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 950mV | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.36W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2.9nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Transistor-Konfiguration | Vollbrücke | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 4mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 4 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 850mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.45mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 950mV | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.36W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.9nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Transistor-Konfiguration Vollbrücke | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Höhe 1.5mm | ||
Länge 5mm | ||
Breite 4mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 4 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
MOSFET-H-Brücke mit Complementary Enhancement Mode, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
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