DiodesZetex Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung 1.5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
246-6779
Herst. Teile-Nr.:
DMHC4035LSDQ-13
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.058Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12.5nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Durchlassspannung Vf

0.7V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

1.5W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der DiodesZetex ist eine neue Generation von komplementären MOSFET-H-Brücke, die über einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand verfügt, der mit einem niedrigen Gate-Antrieb erreicht werden kann. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem SO-8-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und eine niedrige Eingangskapazität. Er hat einen Betriebstemperaturbereich von –55 °C bis +150 °C.

Die maximale Drain-Quellenspannung beträgt 40 V. Die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±20 V. 2 N-Kanäle und 2 P-Kanäle in einem SOIC-Gehäuse. Es bietet einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand

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