DiodesZetex Isoliert Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 8.2 A 1.6 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
921-1029
Herst. Teile-Nr.:
DMC3026LSD-13
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

29mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

1.6W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6nC

Betriebstemperatur min.

150°C

Durchlassspannung Vf

0.7V

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Normen/Zulassungen

MIL-STD-202, AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020

Länge

4.95mm

Höhe

1.5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Zweifacher N/P-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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