DiodesZetex Isoliert Typ N, Typ N, Typ P, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 4.7 A 2.1 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
122-3286
Herst. Teile-Nr.:
ZXMC4559DN8TA
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ N, Typ P, Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

75mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2.1W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11nC

Gate-Source-spannung max Vgs

-20V, +20V

Durchlassspannung Vf

850mV

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Länge

4.95mm

Breite

3.95mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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