DiodesZetex Isoliert Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 10.5 A 1.6 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
170-9038
Herst. Teile-Nr.:
DMC3016LSD-13
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

20mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

150°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11.3nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.6W

Durchlassspannung Vf

0.7V

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Normen/Zulassungen

RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020

Länge

4.95mm

Breite

3.95 mm

Höhe

1.5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

Zweifacher N/P-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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