DiodesZetex Isoliert Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 35 V Erweiterung / 9.6 A 8.9 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
165-8875
Herst. Teile-Nr.:
DMG4511SK4-13
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

35V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

65mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

8.9W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.8nC

Betriebstemperatur min.

150°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Breite

6.2 mm

Höhe

2.39mm

Normen/Zulassungen

J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101

Länge

6.7mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

Zweifacher N/P-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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