Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 6.3 A 1.3 W, 3-Pin SOT-23

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*

€ 4,46

(ohne MwSt.)

€ 5,36

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 200 Einheit(en) versandfertig
  • Zusätzlich 260 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Zusätzlich 20 040 Einheit(en) mit Versand ab 05. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
20 - 140€ 0,223€ 4,46
160 - 740€ 0,096€ 1,92
760 - 1480€ 0,084€ 1,68
1500 +€ 0,073€ 1,46

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
737-7228
Distrelec-Artikelnummer:
304-45-316
Herst. Teile-Nr.:
IRLML6244TRPBF
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

27mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.9nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.3W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.04mm

Höhe

1.02mm

Breite

1.4 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 12 V bis 25 V, Infineon


Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Verwandte Links

Recently viewed