Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 4.1 A 1.3 W, 3-Pin IRLML6246TRPBF SOT-23

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RS Best.-Nr.:
737-7221
Herst. Teile-Nr.:
IRLML6246TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

66mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.3W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.04mm

Breite

1.4 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.02mm

Distrelec Product Id

304-45-317

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 12 V bis 25 V, Infineon


Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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